高吞吐量队不是IBM的Nanosheets,今后几年可能会使【王者荣耀kpl下注】

本文摘要:目前生产先进设备芯片必不可少的晶体管,其核心在于横向格栅硅,原理是当设备电源打开时,电流不会通过该部位,然后使晶体管一起运行。

王者荣耀kpl下注

目前生产先进设备芯片必不可少的晶体管,其核心在于横向格栅硅,原理是当设备电源打开时,电流不会通过该部位,然后使晶体管一起运行。但是,业界的共识指出,这个设计总有一天不能使用,一手包天下,总是到了闭幕的日子。IBM开始探索新的设计,命名为Nanosheets,今后几年可能会使用。

低通则可能有不同的想法。领导芯片生产行业的大男子AppliedMeterials、Synopsys、高吞吐量对5种下一代技术的设计候补方案进行了模拟和分析,探索的核心问题是独立国家晶体管和原始逻辑门(包括独立国家晶体管)的性能表现有什么不同。结果,最后的胜利者不是这5个候选人中的任何一个,而是高吞吐量工程师新设计的方案,被称为NanoRings。

设备技术人员和技术人员只是优化了一些非常有限的特征,高吞吐量公司的最高技术人员对S.C.Song进行了说明。例如,在设备的维度上,晶体管的栅极能够很好地控制电流通过地下通道。

但是,变成原始的逻辑门而不是单个晶体管时,其他方面显得更为重要。值得一提的是,Song和他的团队发现了设备的寄生电容器-在切换过程中没有意想不到的电容器结构而丢失-是确实的问题。所以高吞吐量队不是IBM的Nanosheets,而是自由选择纳米设计。高吞吐量被称为Nanoslabs。

从侧面看,Nanoslabs看起来像一堆2~3个长方形的硅板,各平板被低k介电和金属栅栏包围,栅栏电压在硅中产生电场,使电流流动。*Nanoslabs的晶体管结构围绕着硅[粉色],金属格栅[蓝色]与低K介电的[紫色]绝缘,这种结构不妨碍寄生电容器的性能。用栅极电极几乎包围着所有的硅板,可以很好地控制电流的流动,但也引进了寄生电容器。

王者荣耀kpl下注

硅、绝缘子、金属、绝缘体、硅片之间的结构基本上是一对电容器。注意到Nanorings通过改变硅的形状来解决问题,金属板之间的间隙几乎没有填充。氢中烘烤设备不会使矩形板长成椭圆形。

这样就掐住了它们之间的空间,所以只有低K介电几乎围绕着它们。金属门几乎绕不开,容量就少了。

但是,门的电场强度仍然不足以诱导电流的流动。*纳米技术增加了寄生电容器。因为硅和金属之间的空间几乎不能填充。

高吞吐量公司技术团队副总裁ChidiChidambaram回应,将工艺降低到7nm以下,容量图形是最没有挑战性的问题。尽管在这个模拟中取得了显着的胜利,但未来的芯片中晶体管的问题还没有解决。Song和他的合作伙伴计划在纳米材料后测试电路和设备。他们还计划模拟更简单的电路和系统,直到制作原始手机。

(公共编号:)最后的测试结果可能是消费者最关心的——如果智能手机在纳米技术上运营,则正确计算智能手机在一天后的剩馀电力。编译器是IEEE原创文章,允许禁止发表。下一篇文章发表了注意事项。

本文关键词:王者荣耀kpl下注

本文来源:王者荣耀kpl下注-www.soundcapitalinvestments.com

相关文章

网站地图xml地图